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電磁波解析ソリューション Poynting 高周波解析向け汎用電磁波解析ソフトウェア

Poynting for Optics 解析事例:
シリコンナノワイヤアレイを用いた太陽電池の吸収特性解析

背景

  • 光や振動、熱などの身の回りにあるわずかなエネルギーを電力に変換し活用するエネルギーハーベスティング技術が、近年注目されている
  • 太陽光発電の場合には、太陽電池の高効率化が必要不可欠になっている
  • シリコン太陽電池の光吸収性能を、シリコンナノワイヤアレイを用いて改善する技術が最近提案[注1]された
  • Poyntingを用いたシリコンナノワイヤアレイの光吸収解析を示す
[注1]文献
L. Hu and G.Chen, "Analysis of Optical Absorption in Silicon Nanowire Arrays for Photovoltaic Applications", Nano Lett., vol.7, 3249, 2007.

解析モデル

シリコンナノワイヤアレイ

PML吸収境界(z+)(z-)→x方向、y方向は周期境界条件を適し、1セル分だけ計算→パルス波源(Ex励振、微分ガウス波形、Width=0.5fs)観測面(反射波R)シリコンナノワイヤ(直径50nm、長さ2.33μm)観測面(透過波T)

シリコンの周波数分散特性


複素誘電率の実部


複素誘電率の虚部

文献[注2]の実測データを3項のローレンツ分散モデルを用いてフィッティング

[注2]文献
Green, M.A. and Keevers, M. "Optical properties of intrinsic silicon at 300 K", Progress in Photovoltaics, p.189-92, vol.3, no.3; (1995)

解析結果

文献値との比較:光吸収率

低周波領域 高周波領域

低周波領域に比べて、高周波領域では光吸収率が高い

[注3]Reference
A. Deinega and S. John, "Effective optical response of silicon to sunlight in the finite-difference time-domain method", Optics Letters, vol.37, no.1, January 1, 2012.

電磁界マップ(定常状態)

入射→波長380nm(Photon Energy 3.262eV)←シリコンナノワイヤアレイ→入射→波長750nm(Photon Energy 1.653eV)

まとめ

  • Poyntingを用いたシリコンナノワイヤアレイの光吸収特性解析
  • シリコンの広帯域分散特性とナノワイヤ形状を考慮
  • 吸収特性の解析結果は、文献値とよく一致することを確認

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